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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5184 个

  • 充电桩mosfet,1000v场效应管,KNF45100A参数引脚图-KIA MOS管

    KNF45100A场效应管漏源击穿电压1000V，漏极电流6A，极低导通电阻RDS(开启) 2.0mΩ，最大限度地减少导电损耗；低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快，高效低耗；快速恢复体二极管、符合RoHS、高坚固性，稳定可靠；适用于备用电源，充电桩、适配器等...

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    www.kiaic.com/article/detail/5702.html         2025-05-29

  • 占空比计算公式,pwm占空比详解-KIA MOS管

    脉冲高电平持续时间（Ton）：是脉冲信号处于高电平状态的时间。脉冲周期（T）：是脉冲信号从开始到重复出现所需的时间长度（即：高电平时间+低电平时间）。

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    www.kiaic.com/article/detail/5701.html         2025-05-29

  • 充放电模块电路原理图,作用详解-KIA MOS管

    当外部电源接入模块输入端时，充电管理IC将输出一定的电流和电压来给电池充电。同时，通过内部的电路保护功能，监测电池电压、温度、充电状态等参数，保证充电的安全、快速、准确和稳定。

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    www.kiaic.com/article/detail/5700.html         2025-05-29

  • 电源管理mos管,60v150a,2706场效应管,KNB2706A参数-KIA MOS管

    KNB2706A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流150A，极低导通电阻RDS(开启) 2.8mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；快速开关切换，高效低耗；高坚固性、100%经雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠；适用于PWM应用、负载开关、电源管理等多种应用；封装形式...

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    www.kiaic.com/article/detail/5699.html         2025-05-28

  • 继电器和mos管开关选择,区别应用-KIA MOS管

    MOS管：电压/电流承载能力弱，但耗能低，开关速度快，寿命长，12V/48V低压辅助电池的 BMS。继电器：开关速度慢，寿命短，但电压/电流承载能力强，适用于400V/800V BMS。

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    www.kiaic.com/article/detail/5698.html         2025-05-28

  • 充电mos管,mos管双向充电电路原理图-KIA MOS管

    正向充电：当控制输出为高电平时，Q1的栅源电压Vgs大于阈值电压Vth，Q1导通。此时，A点电位降低，B点电压为VIN减去二极管导通电压，Q2的栅源电压Vgs小于阈值电压Vth，Q2不导通。因此，电流从VIN经过Q1流向VOUT。

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    www.kiaic.com/article/detail/5697.html         2025-05-28

  • pwm专用mos管,3903mos管,30v85a,KND3903A参数-KIA MOS管

    pwm专用mos管KND3903A漏源击穿电压30V，漏极电流85A，极低导通电阻RDS(开启) 3.6mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；低Crrs、快速切换，高效低耗；100%经雪崩测试、提升dv/dt性能，稳定可靠；适用于PWM应用、负载开关、电源管理等多种应用；封装形式：TO-...

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    www.kiaic.com/article/detail/5696.html         2025-05-27

  • 隔离变压器,变压器的工作原理,原理图-KIA MOS管

    隔离变压器是指输入端和输出端电气上完全隔离的变压器，它的隔离是隔离电气的意思。原理是利用变压器的电磁感应原理，通过磁场耦合将输入端和输出端的电路隔离开来。因它的次级不和大地相连，没有电位差，起到了隔离的作用，是一种安全电源。

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    www.kiaic.com/article/detail/5695.html         2025-05-27

  • dfn,MOS管DFN8封装图,封装尺寸-KIA MOS管

    DFN封装是一种无引脚的封装形式，采用双边或方形扁平无铅封装，仅两侧有焊盘。DFN8表示焊盘数是8个，典型主体尺寸长度通常介于2-7mm，焊盘间距通常为0.5-0.95mm，特点是灵活性高，常用于集成电路芯片的封装。

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    www.kiaic.com/article/detail/5694.html         2025-05-27

  • 充电器mos管,4406场效应管,​12a30vmos管,KNE6303A参数-KIA MOS管

    充电器mos管?KNE6303A漏源击穿电压30V，漏极电流12A，先进的沟槽加工技术，超低导通电阻的高密度电池设计，??导通电阻RDS(开启) 8mΩ，高效低耗；改进的dv/dt能力、?完全表征的雪崩电压和电流，稳定可靠；100% EAS保证、绿色设备，环保可靠；适用于充电器、...

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    www.kiaic.com/article/detail/5693.html         2025-05-26

  • 有刷控制器原理,电动车控制器接线图-KIA MOS管

    （1）频率低，约150Hz，因而续流二极管采用了普通整流桥；（2）没有欠压和过流保护；（3）采用了简单的门电路作三角波发生器；（4）采用5只大功率VDMOS并联，并且采用了简单均衡电路；

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    www.kiaic.com/article/detail/5692.html         2025-05-26

  • 电动自行车控制器,有刷控制器原理详解-KIA MOS管

    稳压电源 由V3（TL431），Q3等元件组成，从36V蓄电池经过串联稳压后得到+12V电压，给控制电路供电，调节VR6可校准+12V电源。

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    www.kiaic.com/article/detail/5691.html         2025-05-26

  • 直流电机控制pmos,-100v pmos,KPD6610B场效应管参数-KIA MOS管

    KPD6610B场效应管漏源击穿电压-100V，漏极电流-15A，低导通电阻RDS(开启) 170mΩ；具有低噪声?，提高信号的保真度??、高阈值电压?，抗干扰能力强?、低功耗?，高效稳定；100% EAS保证、绿色设备，环保可靠；适用于电源管理、直流电机控制等多种应用场景；...

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    www.kiaic.com/article/detail/5690.html         2025-05-23

  • 两相步进电机驱动电路,原理图分享-KIA MOS管

    通过H桥电路来控制电机的两个相位的电流方向，实现电机的旋转和定位。两相步进电机通常有两个相位，分别称为A相和B相。H桥电路由四个开关（如MOSFET管）和四个续流二极管组成，分别控制A相和B相的电流方向。

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    www.kiaic.com/article/detail/5689.html         2025-05-23

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